电性失效分析

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【Hamamatsu】高分辨率微光显微镜

【Hamamatsu】高分辨率微光显微镜

【产品优势】

  • 缺陷快速定位
  • 节省分析时间
  • 为半导体芯片失效分析应用量身定制
  • 半导体业内专业级电性定位设备
 

【功能特色】

  • 可选配两个超高灵敏度相机(覆盖范围包括不同探测波长范围的微光分析和热分析,或可见光和近红外光,允许轻松选择与样品和失效模式匹配的分析技术)
  • OBIRCH有多达五种雷射源可供选择,且兼容动态分析技术
  • 单一模块适用多种光源(1.3um,1.1um,532nm),支持多种分析
 

【功能特性】

功能
特性
OBIRCH
  • 高分辨率,高对比度度反射模式图像
  • 可进行背面观测(使用1.3μm波长雷射)
  • 由于使用近红外激光器,完全避免OBIC信号的影响
  • 可在四个象限测量电压/电流
  • OBIRCH 放大器可以为被测器件施加四个象限电压/电流。软件可选择 V1模式、I1模式、V2模式和V3模式。
EMMI相机
  • 近红外区域的高灵敏度(高量子效率)
  • 分析低工作电压器件的强大的工具,同时可以实现背面分析
  • 可结合雷射显微镜,且同时保持高分辨率和高灵敏度的分析
电流检测头
电流检测头可用于测量比标准OBIRCH放大器范围要求更高电压(最大3kv)或更高电流(最大6.3 A)的器件。
 

【透镜选项】

  • 电动镜头转盘可以搭载5个物镜
  • Objective lens
Product Name
Product No.
N.A.
WD(nm)
Analysis
Objective lens 1x for OBIRCH
A7649-01
0.03
20
OBIRCH
Objective lens 2* IR coat
A8009
0.055
34
Enission / OBIRCH
Objective lens NIR 5x
A11315-01
0.14
37.5
Enission / OBIRCH
Objective lens NIR 20x
A11315-03
0.4
20
Enission / OBIRCH
Objective lens PEIR Plan Apxo 20x2000
A11315-21
0.6
10
Enission / OBIRCH
Objective lens PEIR Plan Apo 50x2000
A11315-22
0.7
0.7
Enission / OBIRCH
High NA cbjective lens 50* for IR-OBIRCH
A8018
0.76
12
OBIRCH
Objective lens NIR 100x
A11315-05
0.5
12
Enission / OBIRCH
Objective lens MWIR 0.8x
A10159-02
0.13
22
Themal emission
Objective lens MWIR 4x
A10159-03
0.52
25
Themal emission
Objective lens MWIR 8x
A10159-06
0.75
15
Themal emission
 
  • Macro lens
Product Name
Product No.
N.A.
WD(nm)
Analysis
Macro lens 1.35x for PHEMOS -X
A7909-16
0.4
25
Enission / OBIRCH
Macro lens 0.24x for InSb camera
A10159-08
0.08
27
Thermal emission
Macro lens 1x for InSb camera
A10159-10
0.33
52
Thermal emission

 

 

日本滨松光子学株式会社(HAMAMATSU)是全球光子技术、EFA领域的领导品牌。自1953年成立以来,EFA失效分析产品销往全球半导体各大企业,拥有数量最多的半导体业及面板业客户。HAMAMATSU为客户提供EFA失效分析领域的缺陷定位解决方案,开发的微光显微镜是业界主流的高分辨率热点定位设备,且拥有多项专利产品。设备具备Thermal,EMMI,OBIRCH等分析功能方法。